1111刘昌 男，1962年11月27日生。德国科学博士，现任武汉大学珞珈学者˙特聘教授，纳米科学与技术研究中心主任，物理科学与技术学院副院长（分管科研）。
Tel/Fax： 027-687-54501,
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办公地点： 物理楼2214室
Homepage： 加速器实验室

学 历：
1980－1984：浙江大学无线电电子工程学系电子物理与技术专业学习，获工学学士学位；
1984－1987：浙江大学信息与电子工程学系电子物理与器件专业学习，获工学硕士学位；
1996－1999：德国Augsburg大学物理系，获德国科学博士（Dr. rer. nat.）学位。

工作经历：
2003－现在：武汉大学物理科学与技术学院，珞珈特聘教授，博士生导师；
2004年：德国Leibniz表面改性研究所/Leipzig大学应用物理和材料科学系访问；
2001－2003：日本National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (Kansai Center)研究员；
2000－2001：葡萄牙Nuclear and Technological Institute博士后；
1996－1999：德国Augsburg大学物理系，获德国DAAD奖学金；
1987－1996：武汉大学物理系助教、讲师；
1989年：意大利国际理论物理中心短期进修；
多次赴美国、法国、荷兰、新加坡、韩国、瑞士等多个国家进行访问交流或参加学术会议。

教学及指导研究生：
主讲研究生“离子束与固体相互作用”、指导博士后研究人员、博士生、硕士生和本科毕业论文。现每年在微电子与固体电子学、物理或材料科学领域招收博士后，硕－博连读生和访问学者5人左右。

在研项目
1. 湖北省重大科技攻关招标项目“大功率蓝光外延芯片研制”，2006-2008 (2006AA103A01)
2. 湖北省重大科技攻关招标项目“超高亮度绿光外延芯片研制”，2006-2008 (2006AA103A02)
3. 湖北省重大科技攻关招标项目“带有静电保护电路的硅片上倒装焊GaN功率芯片的设计、加工和规模化生产”，2006-2008 (2006AA103A03)
4. “高效节能环保型半导体白光源产业化前期关键技术研究”，武汉建设投资公司，2006-2008
5. 教育部新世纪人才基金” 宽禁带半导体材料和器件的外延生长及离子注入改性研究”，2005-2007(NCET-04-0671)
6. 国家自然科学基金“离子注入宽禁带半导体（GaN和ZnO）非晶化研究”，2005-2007 （10475063）湖北省科技攻关项目“GaN发光芯片应用研究”，2004-2007 (2004AA101A06)
8. 留学回国人员基金“稀土离子掺杂GaN制备白光芯片的理论和实验研究”，2005-2006,教外司留[2004]527湖北省自然科学基金“离子注入GaN局部非晶化研究”，2005-2006 （2004ABA079）
10. 国家自然科学主任基金“稀土离子注入GaN制备白光芯片”，2004-2006 （10345006）

主要研究方向：

1． 宽禁带半导体材料和器件的外延生长及器件加工
2． 纳米材料和器件研制及其应用研究
3． 离子束材料改性
4． 离子注入与离子束分析
5． 离子束辅助沉积制备功能薄膜材料

发表科学研究论文60篇（SCI收录41篇，被EI收录40篇）；他引270多次，单篇（第一作者他引超过50次）；10次国际会议报告（含邀请报告和大会报告）。